سامسونج إلكترونيكس تثبت ريادتها في تكنولوجيا السباكة المتقدمة
شارك هذا الخبر
Tuesday, May 21, 2019
أعلنت اليوم شركةSamsung Electronics Co.، Ltd. ، وهي شركة رائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا أشباه الموصلات المتقدمة، عن التزامها المستمر بالابتكار والخدمة في مجال السباكة، وذلك في منتدى سامسونج لحلول السباكة 2019 في الولايات المتحدة Samsung Foundry Forum 2019 USA، مما يوفر لقطاع السيليكون مجموعة واسعة من التحديثات في مجال التطورات التكنولوجية التي تدعم التطبيقات المحفوفة بالتحديات في عالم اليوم والغد.
ضمّ هذا الحدث الذي عقد اليوم في سانتا كلارا، كاليفورنيا، كبار المدراء التنفيذيين في شركة سامسونج وأهمّ خبراء الصناعة الذين يستعرضون التقدم المحرز في تكنولوجيا أشباه الموصلات والحلول في مجال السباكة والتي تتيح التطورات في مجالات الذكاء الاصطناعي(AI) ، والتعلم الآلي، وشبكات ال 5G، والسيارات، وإنترنت الأشياء(IoT) ، ومراكز البيانات المتقدمة والعديد من المجالات الأخرى.
وقال الدكتور أس يونغ ES Jung، رئيس ومدير وحدة مجال السباكة Foundry Business في Samsung Electronics:" إننا نقف على عتبة الثورة الصناعية الرابعة، وهي حقبة جديدة من الحوسبة والاتصال ذوي الأداء العالي، من شأنها تعزيز الحياة اليومية لجميع الأشخاص على هذا الكوكب".
كما أضاف دكتور يونغ أن " شركة Samsung Electronics تدرك تمامًا أن التوصّل إلى الحلول الفعّالة والموثوق بها في قطاع السيليكون لا يتطلب عمليات التصنيع والتعبئة والتغليف كما حلول التصميم الأكثر تقدمًا فحسب، ولكن أيضًا علاقات تعاونية مع العملاء في مجال السباكة تستند إلى الثقة والرؤية المشتركة. إنّ "منتدى حلول السباكة" هذا العام مليء بأدلة دامغة على التزامنا بالتقدم في جميع تلك المجالات، ويشرفنا أن نستضيف ونتحدث مع أفضل وألمع الشخصيات في صناعتنا".
تشمل النقاط الرئيسية في المنتدى لحلول السباكة المعقود في الولايات المتحدة ما يلي:
إنّ الإصدار الجديد 0.1 لعدّة تصميم العمليات 3nm GAE PDK أصبح جاهزاً
إنّ تطوير عملية الGAA (Gate-All-Around) بدقّة 3 نانومتر (3nm) أي تقنيّة 3GAE من سامسونج جار. وقد لاحظت الشركة اليوم أن الإصدار 0.1 من عدّة تصميم العمليات Process Design Kit (PDK) لتقنيّة GAE3 الخاصة بها قد تم إطلاقه في نيسان/أبريل لمساعدة العملاء على الحصول على بداية مبكرة في أعمال التصميم وتمكينهم من تحسين القدرة التنافسية للتصميم إلى جانب تقليل الوقت اللازم للعمليّة (TAT).
مقارنةً بتكنولوجيا 7nm، تم تصميم عملية 3GAE من سامسونج لتقليل من مساحة الشريحة بنسبة تصل إلى 45 بالمئة مع خفض استهلاك الطاقة بنسبة 50 بالمئة أو زيادة الأداء بنسبة 35 بالمئة. ومن المتوقع اعتماد عملية التصنيع المستندة إلى تقنيّة GAA على نطاق واسع في تطبيقات الجيل التالي، لا سيّما الهواتف المحمولة والشبكات والسيارات والذكاء الاصطناعي (AI)وإنترنت الأشياء.
تتطلب تقنيّة GAA التقليدية القائمة على أسلاك متناهية الصغر عددًا أكبر من الطبقات نظرًا لصغر عرض القناة الفعالة. من ناحية أخرى، يستخدم إصدار تقنيّة GAA لشركة سامسونج الحاصل على براءة اختراع تحت اسم MBCFET ™ (Multi-Bridge-Channel FET)، هيكليّة صفائح نانوية، مما يتيح مرور كميّة أكبر من التيار في كلّ طبقة. فيما يجب على هياكل تقنيّة FinFET تعديل عدد الزعانف بطريقة حذرة، توفّر تقنيّة MBCFET ™ مرونة أكبر في التصميم من خلال التحكم بعرض الصفائح النانوية. بالإضافة إلى ذلك، إنّ توافق تقنيّة MBCFET ™ مع عمليات تقنيّة FinFET يعني أن بإمكانهما تشارك تقنية ومعدات التصنيع نفسها، مما يسرّع تطوير العمليات وزيادة الإنتاج.
أنهت شركة Samsung مؤخرًا تصميم سيارة الاختبار بتقنيّة 3GAE وستركز في المستقبل على تحسين أدائه وكفاءة الطاقة العائدة له. لمزيد من المعلومات، يرجى الرجوع إلى روابط غرفة الأخبار للحصول على رسوم GAA المعلوماتيّة GAA infographic وعلى مقطع الفيديو video clip.
إطلاق برنامج SAFE TM-Cloud جديد أطلقت Samsung Electronics، ضمن جهودها المستمرة لدعم سير عمل التصميم الكامل للعملاء وتحسينه، برنامج Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud (SAFE ™ -Cloud). الذي سيوفر للعملاء بيئة تصميم أكثر مرونة من خلال التعاون مع كبار مقدّمي الخدمات السحابية العامة، مثل Amazon Web Services (AWS) و Microsoft Azure، وكذلك مع شركات رائدة في أتمتة التصميم الإلكتروني (EDA)، بما في ذلك شركتي Cadence و Synopsys. حتى الآن، قام معظم العملاء في مجال السباكة ببناء وإدارة هياكل أساسيّة للتصميم على الخوادم الخاصة بهم. إنّ برنامج SAFE ™ -Cloud يخفّف من هذا العبء كما يسهّل ويسرّع ويزيد من كفاءة جهود التصميم من خلال توفير بيئة تصميم جاهزة وممتازة تتحلّى بمعلومات شاملة عن العمليات (PDK، منهجيات التصميم)، وأدوات EDA، وأصول التصميم (بروتوكول الإنترنت IP، ومكتبة) وخدمات التصميم.
يمكن للعملاء أن يطمئنوا لتوفّر مساحة التخزين ومساحة الخادم اللتين يحتاجون إليهما، فضلاً عن بيئة آمنة مُصممة خصيصًا لتصميم الشرائح، وذلك بسبب تحقّق Samsung Electronics من أمن برنامج SAFE ™ -Cloud وقابلية تطبيقه وتوسيعه. ومن خلال استخدام برنامج SAFE ™ -Cloud، تمكّنت شركة سامسونج من تسريع عملية تطوير مجموعة الوظائف لخليتي nm7 وnm5 الخاصتي بها بالتعاون مع شركة Synopsis. بالإضافة إلى ذلك، أتمّت شركات Samsung وGaonchips - وهي شركة تصميم في قطاع fabless في كوريا - و Cadence عملية التحقق من التصميم بنجاح استناداُ إلى هذا البرنامج. وقال كيو دونغ يونغ، الرئيس التنفيذي لشركة Gaonchips: "إنّ القيام باستثمارات أولية في خوادم وأنظمة الحوسبة عالية الأداء يمكنه أن يشكّل تحديا لشركة مثل شركتنا". "في المقابل، يوفّر لنا برنامج SAFETM-Cloud بيئة تصميم مرنة للغاية من دون الحاجة إلى الاستثمار في بنية تحتية إضافية، بالإضافة إلى انخفاض في الوقت اللازم لعمليّة التصميم. أتوقع أن يقدّم هذا البرنامج المزيد من المزايا التجارية والفنية الملموسة لنا ولقطاع fabless بأكمله. "
خارطة طريق تكنولوجيا التشغيل وتحديثات متقدمة في مجال التعبئة والتغليف تتضمن خارطة طريق Samsung أربع عمليات تستند إلى تقنيّة FinFET بدقّة تختلف من 7nm إلى4nm ، و تستفيد من تقنية الأشعة فوق البنفسجية القصوىEUV) ) بالإضافة إلى تقنيّة GAA بدقّة 3nm أو MBCFET ™.
ومن المقرر أن تبدأ شركة Samsung في النصف الثاني من هذا العام الإنتاج الواسع النطاق لأجهزة العمليات بدقّة 6nm وأن تتمّ تطوير العملية بدقة 4nm. من المتوقع أن يتم الانتهاء من تصميم المنتج لعملية FinFET بدقّة 5nm من سامسونج، والذي تم تطويره في نيسان/أبريل، في النصف الثاني من هذا العام، ويليه الإنتاج الواسع النطاق في النصف الأول من عام 2020.
كما تم الكشف عن ملحقات لعملية FD-SOI (FDS) وشرائح eMRAM الخاصة بالشركة بالإضافة إلى مجموعة موسعة من الحلول الحديثة في "منتدى حلول السباكة" Foundry Forum هذا العام. وسيتم الانتهاء هذه السنة من تطوير العملية التي ستخلف لعملية 28FDS أي 18FDS مع شرائح eMRAM بسعة 1 جيجابايت.
